GaN薄膜材料TEM样品的制备

摘要：

本文研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射式电子显微镜(TEM)分析用的“三明治”半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体材料氮化镓材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。

关键词： GaN薄膜材料 TEM分析 样品制备 机械研磨 离子减薄 透射电镜 氮化镓材料

作者: 陈雷英 陈贵锋 赵勇明 白云娜 马晓薇 李养贤

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 626-629

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）