高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究
本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vga相关缺陷是非故意掺杂常规GaN中黄带发光深受主的来源。实验中也发现高阻GaN中没有Vga,但也有很强的黄带发光,甚至比非故意掺杂常规GaN更强。这表明高阻GaN中黄带发光的深受主有其它的来源,与Vga无关；碳相关的缺陷被认为该深受主的来源。此外,实验也发现在高阻GaN中,有高的刃型位错密度和短的正电子扩散长度(Ld)的样品有更强的黄带。由空穴的空间局域化(从短的Ld推知)导致的电子-空穴波函数交叠增加被认为是高阻GaN中黄带发光效率增加的非常重要的因素。
高阻氮化镓 黄带发光性质 正电子湮灭谱 光致发光谱 MOCVD法 位错密度
许福军 沈波 苗振林 宋杰 杨志坚 张国义
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
国内会议
广州
中文
630-633
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）