ZnO基GaN材料的生长初探
高质量大尺寸的GaN单晶材料的获得是目前进一步发展GaN基器件的关键问题。由于目前已经证明工业化生产GaN体单晶非常困难,因此目前多采用c面蓝宝石、Si或6H-SiC作为衬底生长GaN薄膜材料。而ZnO以其与GaN相同的晶体结构以及小的晶格失配度(1.8％)成为一种更理想的GaN衬底材料。目前已经成功的生长出了高质量的大尺寸的极性生长的ZnO体单晶,因此可在此基础上进行ZnO基GaN材料的生长。本文重点研究了MBE上ZnO基GaN的生长工艺,为下一步获得高质量的ZnO基GaN材料打下了基础。
GaN薄膜材料 化合物半导体 晶体结构 单晶生长工艺
魏学成 曾一平 王国宏 李晋闽
中国科学院半导体所照明研发中心,北京 100083
国内会议
广州
中文
638-641
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）