SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED
利用MOCVD在SiC衬底上采用AIN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303”和311”,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度是0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AIN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AIN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量了阱区完全应变的外延在GaN层上,而AIN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。
SiC衬底 化学气相沉积法 GaN基蓝光LED AIN缓冲层
朱学亮 曲爽 刘存志 李树强 夏伟 沈燕 任忠祥 徐现刚
山东华光光电子有限公司,济南 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250101
国内会议
广州
中文
646-648
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）