氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

摘要：

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错位错密度。此外,研究了用特定的x射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,氢化物气相外延生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度在109cm-2到1010-cm-2之间,而且两种方法所得到的结果相符合。

关键词： 位错密度 氮化镓厚膜 氢化物气相外延法 z射线衍射 晶体缺陷

作者: 刘战辉 修向前 张荣 谢自力 颜怀跃 施毅 顾书林 韩平 郑有炓

作者单位: 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093 南京信息工程大学数理学院,南京 210044 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 649-652

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）