生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率降低,In含量降低；而随着生长压力的降低,AlInN的生长速率增大,In含量增加,且AlInN组分的不均匀性会减弱。AlInN的晶体质量随着生长温度的提高或生长压力的降低而提高,除了最低的生长压力外。此外,随着生长温度的提高或生长压力的降低,AlInN的表面会变平坦,这与表面吸附的Al原子的迁移能力增强有关。
化学气相沉积法 外延生长 AlInN薄膜 生长温度 表面迁移能力
卢国军 朱建军 赵德刚 刘宗顺 张书明 杨辉
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
国内会议
广州
中文
653-656
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）