P型In0.18Ga0.80N的Ni/Au欧姆接触研究

摘要：

使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102Ω·cm2,研究此时p型In0.18Ga0.82N的电学特性,发现材料空穴浓度高达4×1018cm3。

关键词： 欧姆接触 金属氧化物化学气相沉积 镁重掺杂 铟组分 材料空穴浓度

作者: 张小宾 李晋闽 王占国 侯洵 王晓亮 肖红领 杨翠柏 冉军学 王翠梅 胡国新 李建平 刘宏新

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心,北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体所,北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 657-660

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）