GaN器件结构与二维电子气关系的研究

摘要：

在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN HEMT器件中势垒层Al组分比、势垒层厚度和掺杂浓度对2DEG的影响,而且还研究了AlN Spacer层对2DEG的影响；给出了GaN异质结构中2DEG分布、面密度、能带结构的变化关系。这将有助于GaN HEMT器件的结构设计。

关键词： 氮化镓器件 异质结构 自发极化 压电极化 二维电子气

作者: 郑惟彬 孔月婵 陈堂胜 陈辰

作者单位: 单片集成电路与模块国家重点试验室,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 661-665

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）