热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究
本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,而击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。
二氧化钛薄膜 热氧化电子束蒸发 泄漏电流 退火工艺
董志华 王金延 郝一龙 文正 王阳元
北京大学微电子研究院宽禁带研究室,北京 10086
国内会议
广州
中文
670-673
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）