60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

摘要：

主要研究了0.2Mrad 60Coγ辐照前后AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降,栅泄漏电流增加,栅漏二极管的正反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成器件退化。

关键词： AlGaN GaN HEMT器件 γ射线辐照 电学参数退化 直流特性 栅泄漏电流

作者: 段超 谷文萍 郝跃 张进城

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 690-692

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）