一种检验GaN基外延材料质量的简易方法
(0) 研究GaN基外延材料对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应的对应关系,提出一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌程度更小,反之亦然。缺陷俘获电子是引起背对背肖特基结I-V特性不对称的根本原因,这缺陷也是产生AIGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的重要原因,因此利用背对背肖特基I-V特性的对称性是定性的评价GaN基外延材料质量优劣的一种有效办法。
外延材料 背对背肖特基结 电流崩塌效应
李诚瞻 魏珂 郑英奎 刘果果 庞磊 刘新宇
中国科学院微电子研究所,北京 100029
国内会议
广州
中文
693-696
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）