GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响

摘要：

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,对应的开启电压变大。

关键词： 二维电子气 能带结构模拟 GaN帽层 AlGaN GaN HEMT 肖特基特性

作者: 赵妙 刘新宇 袁婷婷 庞磊

作者单位: 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 697-699

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）