通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

摘要：

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN,GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距、以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能；当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。

关键词： Si衬底 AlGaN GaNHFET器件 通孔结构 有限元分析 热特性模拟

作者: 文于华 范冰丰 骆思伟 王钢 刘扬

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 700-704

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）