MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化

摘要：

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果:腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。

关键词： GaN薄膜 化学气相沉积法 薄膜沉积速率 数值模拟 流场 几何结构 喷淋式反应室

作者: 殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心,北京 100083 中科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083 中国科学院半导体照明研发中心,北京 100083 中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器什联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 713-717

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）