Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究
本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。
MSM结构 紫外日盲探测器 光电探测器 化学气相沉积法 半峰宽
姜文海 陈辰 周建军 李忠辉 董逊
南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京 210016
国内会议
广州
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718-721
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）