会议专题

脊形条宽对GaN激光器特性的影晌

生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激光器脉冲激射波形的测量来比较他们的温度特性。通过热学模拟计算发现,在相同电流密度下脊形条宽越小有源区温度越低。其中条宽4μm的激光器实现了低温243K的连续激射。条宽2.5μm的激光器实现了室温连续激射。

GaN激光器 多量子阱激光器 有源区温度 直流激射 脊形条宽 蓝宝石衬底 金属有机物化学气相外延

张立群 张书明 江德生 朱建军 赵德刚 杨辉

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

国内会议

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

广州

中文

730-734

2008-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)