应力调制氮化镓基无荧光粉白光LED光电子学特性的研究

摘要：

本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之间的关系被归结为在器件结构中出现的倒金字塔形深坑中心和外围区域之间的In组分涨落。而这些位于贯穿忙错尾端的深坑是由于InGaN插入层的应力弛豫过程所导致。

关键词： 氮化镓基 白光LED 无荧光粉 光电子学性质 应力调制 X射线衍射 电致发光谱

作者: 方浩 桑立雯 齐胜利 张延召 杨学林 杨志坚 郝茂盛 潘尧波 张国义

作者单位: 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871 上海蓝光科技有限公司,上海 518033 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871 上海蓝光科技有限公司,上海 518033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 739-742

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）