采用AlGaN/GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管

摘要：

大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(MOW)有源区之间插入P型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效的解决了大注入下载流子泄露问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MOB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80％和100％。

关键词： 多量子势垒阻挡层 发光二极管 外量子效率 载流子泄露

作者: 齐胜利 陈诚 李士涛 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏

作者单位: 人工微结构合介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871 上海蓝光科技有限公司,上海 518033 人工微结构合介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871 上海蓝光科技有限公司,上海 518033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 743-745

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）