InGaN合金MOCVD生长及光电极制备

摘要：

本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的InGaN合金相对于富In组分的InGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度,并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极,发现工作于水稀释的HBr电解液中的InGaN光电极在可见光辐照下具有稳定的光电响应。InGaN光电极的光电量子转换效率最高达到9％,为利用太阳能提供了一种新途径。

关键词： InGaN合金薄膜 化学气相沉积法 金属有机物化学气相外延 能带带隙 光电极 晶体结构 光电学性质

作者: 刘斌 郑有炓 罗文俊 张荣 邹志刚 谢自力 李朝升 修向前 陈敦军 韩平

作者单位: 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093 环境材料与再生能源研究中心,南京大学物理系,南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 746-750

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）