AlGaN基日盲型紫外探测器的研制

摘要：

采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻约为1012～1013Ω；常温下,该器件在10 V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275 nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。

关键词： 日盲型 紫外探测器 AlGaN 刻蚀工艺 化学气相沉积法

作者: 尹顺政 李献杰 蔡道民 刘波 冯志宏

作者单位: 中电集团第十三研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 751-754

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）