一种新型垂直结构的硅基GaN绿光LED
为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的硅衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10％,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
Si衬底 通孔结构 垂直结构 绿光LED 硅基氮化镓 电流扩展
卫静婷 张佰君 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢
中山大学理工学院 510275
国内会议
广州
中文
763-766
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）