GaN基雪崩二极管的蒙特卡罗模拟

摘要：

由于宽禁带、高增益所带来的优越光电性能,GaN基材料雪崩二极管(APD)在近年得到广泛的关注,成为紫外探测的重要工具。本文使用蒙特卡罗方法对GaN基雪崩二极管器件进行理论模拟,通过二维模型我们通过模拟得到了载流子漂移速度、平均能量、能谷占有率等稳态结果,对电子和空穴两种载流子的输运特性进行了理论的探讨和研究；同时使用一维简化模型对GaN基材料器件特性进行了模拟,得到了碰撞电离系数、速度过冲、增益和噪声等结果。

关键词： GaN基材料 蒙特卡罗模拟 雪崩二极管 光电性能 紫外探测 载流子输运

作者: 郑致远 王钢

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 767-771

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）