InGaN肖特基接触的研究

摘要：

采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截面进行二次电子显微(SEM)图像、阴极荧光(CL)图像以及电子束感生电流(EBIC)图像的表征,发现Ni/Au/n-InGaN接触在n-InGaN一侧存在内建电场,从而进一步证实Ni/Au/n-InGaN的Schottky接触的形成。

关键词： InGaN薄膜 Schottky接触 肖特基接触 扫描电子显微 MOCVD法 外延生长

作者: 孙苋 刘文宝 江德生 赵德刚 刘宗顺 朱建军 张书明 段俐宏 杨辉

作者单位: 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 772-775

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）