W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真
本文介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的四指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射级和共基极的Cascode结构,并且工作在ClassA状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示功率放大器在94GHz 工作频率下增益为6.1dB,3dB带宽为DC～103GHz,饱和输出功率大于16dBm,同时输入输出同波损耗小于-20dB,隔离度大于30dB。目前电路正在流片制作当中。
InP DHBT器件 双异质结双极型晶体管 功率放大器 工作频率
陈高鹏 葛霁 程伟 王显泰 苏永波 金智 刘新宇
中国科学院微电子研究所,北京 100029
国内会议
广州
中文
796-799
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）