会议专题

Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究

本文报道了采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块。研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离;并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低频振荡和参量振荡,有效提高了功率放大器的稳定性。对直流供电电路进行优化,使电路可以根据不同应用需要灵活调整工作状态;并且设计了储能电容电路,提高了脉冲功率放大器的工作效率。研制成功的Ku波段脉冲功率放大器模块,在13.5~14.0GHz工作频段内(脉冲重复频率3kGz,占空比10%)功率增益Gp≥44dB,输出脉冲峰值功率Ppk≥30W,总体工作效率η≥26%(Class B)。功率放大器在DC~14.0GHz范围内稳定,没有振荡现象发生。

Ku波段 GaAs场效应晶体管 平面微带线结构 GaAs金属半导体 脉冲功率放大器 稳定性

陈高鹏 吴旦昱 陈晓娟 刘新宇 李滨

中国科学院微电子研究所,北京 100029

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

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2008-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)