锑化物半导体材料与器件应用研究进展
窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。它们具有的独特能带结构和物理性能为各种新型功能器件的研发提供了极大的发展空间。成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域。本文概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果。
锑化物半导体 集成电路 焦平面阵列 红外探测器 能带结构
刘超 曾一平
中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083
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2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）