AlGaN/GaN HEMT不同结构的直流及温度特性仿真

摘要：

本文采用ISE仿真软件对AlGaN/GaN HEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真。得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:681.21mA/mm、467.56 mA/mm和1004.6 mA/mm。其特性随温度的升高而下降。

关键词： AlGaN GaN HEMT 双异质结结构 漏源电流

作者: 张小玲 李菲 谢雪松 吕长志 李志国

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京 100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 682-685

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）