高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

摘要：

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件 高介BST材料 MIS结构 磁控溅射 栅绝缘层

作者: 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁

作者单位: 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院,成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 686-689

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）