1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的侧向腐蚀隧道结结构。VCSEL结构由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜分布布拉格反射镜(DBR)以及通过晶片直接键合方法制作的GaAs/Al(Ga)As半导体DBR构成。分别制作了器件I和II,器件I在室温脉冲电流注入下激射,阈值电流为13.5mA；器件II在室温连续电流注入下激射,阈值电流为0.51mA。两者在性能上的差异与不同的腔模一增益谱峰值波长差值△λCavity-Gain有关。
垂直腔面发射激光器 选择性湿法腐蚀 隧道结结构 InAlAs材料 增益谱峰值 孔径工艺
曹春芳 劳燕锋 吴惠桢 曹萌 刘成 谢正生
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
国内会议
广州
中文
820-824
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）