P掺杂p型ZnO薄膜的制备及其掺杂行为研究
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜。霍尔测试结果表明,直接生长的ZnO薄膜呈p型导电特性,其空穴浓度、电阻率及空穴迁移率分别为7.2×1017cm-3、7.7Ωcm和1.12 cm2/V·s。通过对变温光致发光谱和X射线光电子能谱(XPS)的分析,研究了磷在ZnO薄膜中的掺杂行为。在光致发光实验中我们发现,样品的受主束缚激子发射(A0X)机制占主导。通过计算,与磷相关的受主束缚能约为124meV。同时XPS分析结果表明,磷掺杂ZnO薄膜中存在的受主最可能为PZn-2VZnn复合体。
p型氧化锌薄膜 磷掺杂 变温光致发光谱 X射线光电子能谱 金属有机化学气相沉积 霍尔测试
李香萍 张宝林 夏晓川 赵旺 董鑫 杜国同
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室 吉林 长春 130012 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室 吉林 长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院 辽宁 大连 116023
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2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）