水平热壁式CVD系统中生长源流量对外延速率及掺杂浓度的影响

摘要：

本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。

关键词： 4H-SiC衬底 化学气相沉积法 碳硅比 外延生长速率 掺杂浓度

作者: 李赞 李哲洋 董逊 陈辰

作者单位: 单片集成电路和模块国家级重点实验室,中国科技集团公司第五十五研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 875-878

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）