水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

摘要：

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化S/Si比。获得低于7％(最好值为4.37％)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC衬底 化学气相沉积法 碳硅比 同质外延生长 均匀性

作者: 李哲洋 李赟 董逊 柏松 陈刚 陈辰

作者单位: 单片集成电路和模块国家级重点实验室,中国科技集团公司第五十五研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 879-882

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）