SiC/SiN/Si材料的APCVD生长及表征
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在PECVD Si/SiN复合衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)测量分析了高温预处理前后衬底表面结构的变化,及其对SiC生长层结晶质量的影响。研究结果表明,高温处理会导致SiN由多晶相向准单晶转变,晶化的SiN表面不利于SiC成核生长,适当降低薄膜生长温度可以抑制SiN的相变,此时得到的是<111>晶向择优生长的多晶SiC薄膜,并含有少量多晶硅的混合物。
化学汽相淀积 常压化学气相淀积 多晶碳化硅薄膜 X射线衍射
贾护军 杨银堂 柴常春 李跃进
西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
国内会议
广州
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883-886
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）