离子注入制备的纳米硅光致发光特性研究

摘要：

本文将硅离子注入到热氧化生长的二氧化硅层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强。由常规退火和快速退火样品的光致发光光谱的对比得出快速退火对纳米硅发光有增强的作用。本文对发光机制进行了探讨,认为其发光机理可归结为纳米硅/二氧化硅界面处Si=0键引起的发光。

关键词： 离子注入 纳米晶硅薄膜 光致发光 热氧化生长 二氧化硅

作者: 董利菲 郝秋艳 刘彩池

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 887-890

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）