6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

摘要：

本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10mm深度的部分。

关键词： 碳化硅材料 感应耦合等离子体 刻蚀工艺 光刻水平 ICP功率 偏置电压

作者: 丁瑞雪 杨银堂 韩茹

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 891-894

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）