真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象存相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。本文还利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均末发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
真空高阻 区熔硅单晶 少子寿命 漩涡缺陷 位错缺陷
索开南 闫萍 张殿朝 庞炳远 刘燕 董军恒
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
国内会议
广州
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902-905
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）