气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
由于中子辐照能力有限,NTD单晶远不能满足需求,严重制约着FZ单晶生产。为了满足FZ单晶的需要,生产部门采用气相掺杂控制电阻率的方法制备FZ单晶。气相掺杂FZ单晶的生产规模,将在今后一段时期继续得到发展。本文主要介绍了用气相掺杂的方法,制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路,使气相掺杂时,既快速、准确的实现目标电阻率,又对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。文中附有有关的实验图表。
气相掺杂 FZ单晶 电阻率 区熔单晶
刘洪飞 刘燕 董军恒
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
国内会议
广州
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906-909
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）