4H-Si1-yCy合金的生长及特性
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2 θ约为28.5°),表明得到的合金薄膜晶体取向单一,其晶体类型通过计算分析为4H型；粗略估算,合金薄膜中C含量约为3.7％；SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Sil-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀；利用电化学腐蚀电容电压(ECV)方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流了浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金 同质外延生长 电化学腐蚀电容电压 载流了浓度 n型导电
俞斐 陈秀芳 张荣 郑有炓 吴军 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 徐现刚
南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210093 山东大学晶体材料研究所 晶体材料国家重点实验室 济南 250100
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2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）