生长温度对Si1-zGez:C薄膜外延生长的影响
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关；Si1-xGex:C合金薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。Si1-xGex:C/Si样品载流子浓度沿衬底至表而方向逐渐上升且Si1-xGex:C合金层总体呈P型导电,本文对其导电分布特性进行了分析研究。
Si1-zGez:C合金薄膜 化学气相淀积 外延生长 生长温度 载流子浓度 X射线衍射
葛瑞萍 韩平 吴军 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京 210093
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2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）