4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,然后使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及拉曼光谱(raman spectrum)多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究。然后制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管大小是直径110um的圆形；文中简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程:通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87eV,击穿电压在650V 。
4H碳化硅外延 材料缺陷 肖特基二极管 电学性能 势垒高度 拉曼光谱
陈刚 陈雪兰 柏松 李哲洋 韩平
南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,210008 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,210016 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,210008
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2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）