应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究

摘要：

本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

关键词： 应变硅器件 驰豫SiGe衬底 nMOSFET阈值电压模型

作者: 张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军

作者单位: 两安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 922-924

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）