离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

摘要：

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2”1”；同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词： 离子注入 4H碳化硅器件 欧姆接触 肖特基势垒二极管 隔离技术

作者: 李春 陈刚

作者单位: 南京电子器件研究所,五中心,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 925-928

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）