As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究

摘要：

本文利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO:As)薄膜,一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO:As:A),另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO:As:G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As的存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。

关键词： 氧化锌薄膜 砷掺杂 光电子能谱 金属有机化学气相沉积法 GaAs衬底

作者: 管和松 李万成 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同

作者单位: 吉林大学集成光电子国家重点实验室,长春 130021

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 842-845

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）