Ku/K波段砷化镓PIN二极管单片单刀单掷开关

摘要：

基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.3dB,回波损耗大于10dB；开关关断状态的隔离度最大值为35dB。在1.3V的偏置电压下工作电流为7mA。

关键词： 砷化镓 单刀单掷开关 PIN二极管 插入损耗

作者: 吴茹菲 尹军舰 张健 刘亮 刘会东 张海英

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京 100029,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 963-968

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）