关于蓝光芯片透明导电薄膜ITO退火工艺的研究

摘要：

蓝宝石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是制约影响二极管寿命主要问题,常见电流扩展层薄NVAu层或ITO导电薄膜。本文主耍研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响。从实验对ITO导电薄膜退火对蓝光管芯的工艺加以研究,经过ITO退火工艺芯片比没有ITO退火的芯片,正向压降低0.2V以上,亮度一致性更高。这为提高蓝光管芯参数性能提供了依据。

关键词： 蓝光芯片 透明导电薄膜 GaN基LED ITO退火工艺 蓝光管芯参数

作者: 沈燕 彭璐 杨鑫沼 刘存志

作者单位: 山东华光光电子有限公司,济南 250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 970-972

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）