空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
本文分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96％和142％(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡。器件的效率得到提高,最大效率为2.8 cd/A。C60厚度从2nm增加到5 nm后,器件性能急剧降低。
有机电致发光器件 空穴注入结构 异质结 CuPc器件 电流密度
曹国华 关敏 曹俊松 李林森 曾一平
中国科学院半导体研究所新材料部,北京 100083
国内会议
广州
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977-979
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）