ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光

摘要：

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多种p型掺杂方法：在获得性能较好的p型ZnO薄膜的基础上,结合ZnO/ZnMgO多量子阱结构,研制ZnO-LED原型器件,在室温下实现了较好的近带边电致发光。

关键词： 氧化锌薄膜 p型掺杂 电致发光 半导体材料 光电器件 量子阱

作者: 叶志镇 潘新花

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 8-11

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）