国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展

摘要：

利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效率达到42％,实现国产SiC衬底上的GaN HEMT器件。

关键词： 迁移率 功率密度 外延材料 功率器件 微波器件 输出功率

作者: 冯志宏 尹甲运 刘波 王勇 徐现刚 冯震 蔡树军

作者单位: 专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 30-32

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）