超高频InP基电子器件和电路
本文介绍了国际、国内超高频InP基电子器件和电路的发展。重点介绍了我们制作成功的超高频InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结构双极晶体管(HBT)的特性。采用自主研发的材料结构、工艺,研制成功栅长为120 nm的InP基HEMT器件,ft石达到220 GHz,fmax达到204 GHz。利用介质平坦化工艺,研制成功亚微米的InP基DHBT,击穿电压大于7V,ft达到170GHz,fmax达到253 GHz。开发的多指共基极InP基DHBT,击穿电压大于7 V,fmax达到305 GHz。在高性能器件研究的基础上,设计制作了W波段MMIC功率放大器。
电子器件 电子迁移率 异质结构 双极晶体管 击穿电压
刘新宇 金智 张海英
中国科学院微电子研究所,北京 100029
国内会议
广州
中文
20-23
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）