MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7％时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明二价的Mn离子替换了三价的Ga离子。尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格巾的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。
氮化稼 磁学性能 掺杂薄膜 顺磁性离子 金属有机物 化学气相沉积
崔旭高 张荣 陶志阔 李鑫 修向前 谢自力 郑有炓
江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
国内会议
广州
中文
44-48
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）